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有机膨润土一流变助剂多晶硅在工业中有哪些工业气体?
来源:美扬时代 时间:2021年12月31日

  1、硅烷(SiH4):有毒。硅烷在半导体工业中首要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆触摸层和异质或同质硅外延成长质料、以及离子注入源和激光介质等,还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。


  2、锗烷(GeH4):剧毒。金属锗是一种杰出的半导体资料,锗烷在电子工业中首要用于化学气相淀积,构成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制作。


  3、磷烷(PH3):剧毒。首要用于硅烷外延的掺杂剂,磷分散的杂有机膨润土一流变助剂质源。一起也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP资料、离子注入工艺、化8455新葡萄娱乐半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。


  4、砷烷(AsH3):剧毒。首要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。


  5、氢化锑(SbH3):剧毒。用作制作n型硅半导体时的气相掺杂剂。


  6、乙硼烷(B2H6):窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化分散的掺杂剂,它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃有机膨润土一流变助剂料。


  7、三氟化硼(BF3):有毒,极强刺激性。首要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。


  8、三氟化氮(NF3):毒性较强。首要用于化学气相淀积(CVD)设备的清洗。三氟化氮能够独自或与其它气体组合,用作等离子体工艺的蚀刻气体,例如,NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化8455新葡萄娱乐MoSi2的蚀刻;NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻,也用于NbSi2的蚀刻。


  9、三氟化磷(PF3):有机膨润土一流变助剂毒性极强。作为气态磷离子注入源。


  10、四氟化硅(SiF4):遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。首要用于氮化硅(Si3N4)和硅化钽(TaSi2)的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延堆积分散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的质料。


  11、五氟化磷(PF5):在湿润的空气中发生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。


  12、四氟化碳(CF4):作为等离子蚀刻工艺中常用的作业气体,是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀有机膨润土一流变助剂刻剂。


  13、六氟乙烷(C2H6):在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。


  14、全氟原盐中硫酸根含量到达多少时会对离子膜形成损坏?怎样核算?丙烷(C3F8):在等离子蚀刻工艺中,作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。


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